萘二酰亚胺（NDI）是一类基于萘四羧酸二酐（Naphthalene Tetracarboxylic Dianhydride, NTCDA）结构的化合物，通常通过酐环开环反应与胺类物质缩合而成。NDI及其衍生物因其独特的平面共轭结构、优异的电子受体能力以及高度的化学稳定性，在有机光电子学领域被广泛研究。尤其在有机电化学晶体管（OECT）中，NDI基材料因其出色的n型电导性能和离子渗透特性，成为构建高性能n型OECT的核心材料。
NDI的核心结构由一个萘环（naphthalene）与两个酰亚胺基团（Imide）组成。具体来说，NDI的通式为C12H6(C2O2NR)2，其中R为取代基。NDI的分子骨架非常平面（Planar），这种结构有利于π-π堆积，从而提升电子迁移率。酰亚胺位上的R基团（如烷氧基、芳基等）可以调节NDI的溶解性、能级和晶体堆积方式。
NDI是一类经典的强电子受体（Electron Acceptor）。NDI的最低未占据分子轨道（LUMO）能级较低，典型值约为-4.0 eV左右。这使得它能够有效捕获电子，形成负电荷载体（N-Type）。NDI具有明确的可逆还原峰（Reduction Peak），在电化学测定中表现出良好的电化学活性。研究表明，不同取代基的NDI衍生物的还原电位范围通常在-0.8 V到-1.5 V（相对于Fc/Fc+）之间。
NDI分子两端的取代基位置（Imide Position）和萘环两侧的取代位（Bay Position）都是功能化的热点。通过在这些位置引入不同的侧链或共轭基团，可以制备出多种功能化的NDI共轭聚合物（如聚NDI-gT2、NDI-gTVT等）。
在OECT中，NDI基材料通常作为n型半导体材料（N-Type Material）使用。NDI材料的电子亲和力强，容易接受电子。当负电压施加在栅极时，NDI基材料会发生n型掺杂（Reduction），导致沟道电导率大幅提升，提供高的电流放大倍数（Transconductance）。NDI基聚合物的骨架通常设计有较高的离子渗透性（Ion Permeability），这有利于离子在沟道层内部快速迁移，从而提高器件的响应速度。在构建互补逻辑电路（Complementary Logic Circuit）时，NDI基的n型材料可以与p型材料（如PEDOT:PSS）完美配合，实现高效的信号传输。
